变频器中IGBT的驱动电路

    栅极驱动电路要满足以下的要求：

   1) IGBT与MOSFET都是电压驱动，都具有一个2.5～5 V的阈值电压，有一个电容性输入阻抗。因此IGBT对栅极电荷非常敏感，故驱动电路必须很可靠；要保证有一个低阻抗的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。

   2)用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。IGBT开通后，栅极驱动源能提供足够的功率。

   3)驱动电路要能传递几十千赫的脉冲信号。

   4)驱动电平+UGE的选择必须综合考虑。在有短路过程的设备中，由于负载短路时的Ic增大，IGBT能承受短路电流的时间减少，对其安全不利，因此UGE应取得小一些，一般为12～15 V。

   5)在关断过程中，为尽快抽取PNP管内的存储电荷，应施加一负偏压UGE，但其受IGBT的G、E间的最大反向耐压限制，一般取-10~-1 V。

   6)在大电感负载下，IGBT的开关时间不能太短，以限制di/dt所形成的尖峰电压，确保IGBT的安全。

   7)由于IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，故驱动电路与控制电路在电位上应严格隔离。

   8) IGBT的栅极驱动电路应简单实用，其自身带有对IGBT的保护功能，有较强的抗干扰能力。

    另一方面，对具有短路保护功能的驱动电路应注意：

   1)正常导通时，UGE>(1.5~2.5)UGE(th)，以降低饱和压降UGE(sat)和运行结温；关断时加-10~-5V负偏压，以防止关断瞬间因du/dt过高，引起擎住现象，造成误导通，并提高抗干扰能力。

   2)出现短路或瞬时大幅值电流时立即将UGE由15 V降至10 V，使允许短路的时间由5μs增加到15μs；瞬时过电流结束时随即自动使UGE由10 V恢复到15 V。

   3)如故障电流为持续过电流，应在降栅压6~12μs后，使UGE由10 V经2～5μs的时间软关断下降至低于UGE(th)。