变频器中P-MOSFET的静电保护

    P- MOSFET的栅极绝缘，但构成绝缘的氧化层很薄，在静电较强的场合，极易引起静电击穿，造成栅源短路；此外，栅极和源极是通过金属化薄膜铝引出，静电击穿电流极易将其熔断，造成栅极或源极开路。因此，对P - MOSFET进行保管、安装、测试时，应做到以下几点：

   1)器件应存放在抗静电包装袋、金属容器或导电材料包装袋中，不能放在塑料袋或纸袋中。工作人员取用器件时，必须使用腕带良好接地，且应拿器件管壳，不要拿引线。

   2)安装时，工作台和电烙铁应良好接地。

   3)测试时，测量仪器和工作台要良好接地，器件的3个电极必须都接入测试仪器或电路，才能施加电压。改换测试时，电压和电流要先恢复到零。