变频器中P-MOSFET的栅极驱动

    P- MOSFET的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。但P - MOSFET极间电容不可忽略，器件的功率越大，极间电容越大。在栅极驱动电路控制器件开通和关断过程中，存在极间电容充放电问题，充放电的时间常数直接影响工作速度，且需要驱动电路提供一定的驱动电流。设Ri为输入回路电阻，栅极电压的上升时间tr可近似表示为

   tr=2. 2RiCin    (3- 14)

    假定对输入电容充电电流近似为线性，则驱动电流iG可用下式估算：

   iG=CinuGS/tr

    为了使栅极驱动电路正确地控制P - MOSFET的开通和关断，对栅极驱动电路提出如下要求：

   1)触发脉冲的前后沿要陡峭，触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压，以保证P-MOSFET的可靠触发导通。

   2)开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电容提供低电阻放电回路，减小栅极电容的充放电时间常数，提高P - MOSFET的开关速度。

   3)P - MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电流。P- MOSFET的极间电容越大，所需的驱动电流也越大。为了使开关波形具有足够的上升和下降陡度，驱动电流要具有较大的数值。