变频器中P-MOSFET的工作原理

    当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅、源极之间电压为零或为负时，P型区和N-型漂移区之间的PN结反向，漏、源极之间无电流流过。如果在栅极和源极之间加正向电压UGS，由于栅极是绝缘的，不会有栅极电流。但栅极的正电压所形成电场的感应作用却会将其下面P型区中的少数载流子电子吸引到栅极下面的P型区表面。当UGS大于某一电压值UT时，栅极下面P型区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型半导体，沟通了漏极和源极，形成漏极电流ID。电压UT称为开启电压，UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流ID越大。