变频器中功率场效晶体管的结构

    功率场效晶体管简称P-MOSFET(Power MOS Field Effect Transistor)，它是电压控制器件，具有驱动功率小、控制线路简单、工作频率高的特点。

    小功率场效晶体管的栅极G、源极S和漏极D位于芯片的同一侧，导电沟道平行予芯片表面，是横向导电器件，这种结构限制了它的电流容量。功率场效晶体管采取两次扩散工艺，并将漏极D移到芯片的另一侧表面上，使从漏极到源极的电流垂直于芯片表面流过，这样有利于减小芯片面积和提高电流密度。

    功率场效晶体管的导电沟道也分为N沟道和P沟道，栅极偏压为零时漏、源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型，栅极偏压大于零（N沟道）才存在导电沟道的称为增强型。下面以N沟道增强型为例，说明功率场效晶体管的结构。图3-17所示为其结构和符号。

    图3-17    P-MOSFET的结构与符号

   (a)P-MOSFET的结构；(b)P-MOSFET符号