变频器中功率场效应晶体管(MOSFET)简介

    功率场效应晶体管(Power MOSFET-Power metal Oxide Semiconductor Field Transistor，金属氧化物一半导体场效应晶体管)，又称为电力MOSFET，有的资料中用P-MOSFET表示，其等效电路如表1-1所示。根据结构形式不同，功率MOSFET分为VVMOSFET和VDMOSFET两种基本类型。其中VDMOSFET具有高集成度、高耐压、低结电容和高速等特点，使用更为广泛，VDMOSFET简写为VDMOS。

    功率MOSFET是单极型电压控制型器件，具有工作频率高，输入阻抗高，驱动功率小，无热电反馈二次击穿和跨导线性度高等优点，在电力电子技术领域应用很广。功率MOSFET的一个主要缺点是通态电阻比较大，通态损耗也相应较大，当器件耐压提高后，通态电阻也随着提高。由于受这种限制，功率MOSFET的单管功率难以做得很大，一般在10kW以下的低压开关电源中应用。