高功率变频器模块的立体封装形式

    能够做到高功率段的变频器厂商是比较少的，但是随着高功率模块立体封装技术的逐步成熟并推入市场运作，这种局面将得到有效改观。如模块制造商Semikron公司已经开发出了立体封装的IGBT模块，如图1.29所示，其风冷所达到的高功率密度已经为7. 3kVA/L，而这以前必须是水冷方式才能达到的。

    图1. 29    立体封装形式的高功率变频器模块

    立体封装形式的变频器结构已经将IGBT、电流一电压一温度传感器、保护回路、直流回路、散热装置和强制风冷的电容组包含在一起，集成化程度非常高。因此，无论使用在什么应用场合都能通过机械和电气结构的变换而灵活应用该立体封装形式的变频器模块，如未来变频器热点的矩阵式变频器、能量回馈变频器，甚至是UPS。

    该类型的变频器结构可以覆盖320～1550A的功率段，到560kW为止可以做成500mm宽的变频器柜，即使是最大的一种版本都可以做成1200mm宽的变频器柜。