MOSFET逆变电路运行方式

    和IGBT逆变电路一样，MOSFET逆变电路的运行方式也不受负载的限制，从器件关断角度出发，既可工作于感性负载，也可工作于容性负载。但实际上，不同的运行模式，器件的开关环境也相应不同，为了电路的安全运行，必须加以选择。

    感性和容性负载下逆变器件的换相时序影响曲线如图7-13所示。图7-13 (a)为容性负载，忽略输出电流的高次谐波，i0近似为正弦波，设i0超前于u01的角度为φ1，u01是输出电压u0的基波分量。此时电路的正负半波臂间换相点分别发生在θ1和θ2（忽略器件的换相过程）。当ωt=θ2+，电流由VD1换至VF4。这种臂间换相是强制性的，当VD1电流iD1下降到零以后，iT4=i0，但VD1的反向电流将同时流过VF4，既增加VF4电流容量也增加开通损耗。当ωt=θ1+时的换相也存在相同的问题。

    图7-13 (b)是感性负载下的换相时序。虽然也有臂内和臂间换相，但由于反并联二极管是自然关断，其反向恢复电流极小。

    图7-13    负载性质对器件换相时序的影响曲线

   (a)容性负载；(b)感性负载

    由于MOSFET内藏反并联二极管，反向恢复时间较长，因此选择感性负载的运行模式比较合适。