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MOSFET高频加热电源概述

来源:艾特贸易2017-08-02

简介高频加热电源曾用电子管高频振荡器,电效率很低,造成电能的严重浪费。此外,电子管振荡器要用高电压,而且要 10kV 的直流电压。这不仅要求整流侧必须配备工频升压变压器,还造

    高频加热电源曾用电子管高频振荡器,电效率很低,造成电能的严重浪费。此外,电子管振荡器要用高电压,而且要10kV的直流电压。这不仅要求整流侧必须配备工频升压变压器,还造成电磁场对环境污染。高频电源在20世纪80年代也曾用晶闸管调压加高压硅堆取代原先由充气闸流管组成的离子可控整流器,可惜并未改变电源高压、低效的弱点。20世纪90年代出现的MOSFET器件具有大电流、开关频率高的特性,能承受高电压,其次,器件开关损耗及饱和压降损耗小,可将电源整机效率提高到90%左右。

    为了实现30300kHz的电能转换,对电力电子器件的开关性能和容量提出了要求。目前可供选择的器件有电力场效应晶体管(MOSFET)和静电感应晶体管SIT (Static Induction Transistor)等。它们的耐压高、容量大、开关频率高,能满足现实的要求。