变频技术
变频技术
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变频器常用电力晶体管的工作参数
变频技术1 .电力晶体管截止状态下的击穿电压 电力晶体管在截止状态下的击穿电压的含义为在截止状态下,可以引起集电极与发射极之间击穿的最小电压。在基极开路时,该参数采用 UCEO 表示...
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变频器中场效应管的主要参数
变频技术场效应管的主要参数有夹断电压、开启电压、饱和漏极电流、直流输入电阻、漏一源击穿电压、栅一源击穿电压、最大漏极耗散功率、低频跨导、输出电阻、极间电容和低频噪声系数等...
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GTR基极驱动电路的基本构成
变频技术在变频器中,用于驱动控制电力晶体管 GTR 的基极电路的典型结构如图 1-7 所示。图中的 VT3 即为电力晶体管,其前面的电路即为基极驱动控制电路,由集成电路驱动电路 EXB359 与普通晶...
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变频器中的场效应管驱动电路对栅极控制电压的
变频技术在变频器的场效应管驱动电路中,比较理想的栅极控制电压的波形如图 1-16 所示。从截止至转变为导通时,应适当提高栅极电压 UG1 的上升率,以缩短开通时间;从导通转为截止时,应...
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电力晶体管基极驱动电路中GTR的工作特点
变频技术(1) 截止饱和 为了保证晶体管尽快进入饱和状态,开始导通时的基极电流较大;当晶体管已经进入饱和状态时,为了便于在切换时容易退出饱和状态,故电路采用了适当减小基极电流的...
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变频器中的场效应管驱动电路的工作原理
变频技术图 1-17 所示为变频器中场效应管的典型驱动电路,其基本工作原理简述如下。 (1) 驱动信号 U1 为 + 当驱动信号 U1 为 + 时,晶体管 VT1 导通, VT2 截止,则 VT3 管的 G 、 S 之间加入正向栅压...
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变频器中电力晶体管的缓冲电路的基本构成
变频技术在变频器中,电力晶体管的缓冲电路典型结构如图 1-9 所示。该电路的主要作用是减小电力晶体管 GTR 从饱和转变为截止时,集电极与发射极之间的电压变化率。 图 1-9 电力晶体管 GTR 的...
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变频器中绝缘栅双极晶体管结构特点
变频技术一、绝缘栅双极晶体管结构特点 绝缘栅双极晶体管简称 IGBT ,是由美国 RCA 和 GE 公司于 1982 年发明的新型半导体功率器件,是一种电力电子开关器件,在电力电子产品中应用越来越广泛...
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变频器中电力晶体管缓冲电路中GTR的工作原理
变频技术在变频器中,电力晶体管的缓冲电路典型结构如图 1-9 所示,由 VT1 与 VT2 各组成一路缓冲电路,两组电路的工作原理基本相同。下面以 VT1 组成的这一组电路为例来说明缓冲电路的工作...
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变频器中绝缘栅双极晶体管的特点
变频技术绝缘栅双极晶体管的主要特点表现在以下几个方面。 1 .输入阻抗高 绝缘栅双极晶体管输入阻抗高,栅极驱动功率极小,驱动电路也很简单。 2 .电流密度大 绝缘栅双极晶体管芯片面...
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