变频技术

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• 变频器常用电力晶体管的工作参数

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  1 ．电力晶体管截止状态下的击穿电压 电力晶体管在截止状态下的击穿电压的含义为在截止状态下，可以引起集电极与发射极之间击穿的最小电压。在基极开路时，该参数采用 UCEO 表示...

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• 变频器中场效应管的主要参数

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  场效应管的主要参数有夹断电压、开启电压、饱和漏极电流、直流输入电阻、漏一源击穿电压、栅一源击穿电压、最大漏极耗散功率、低频跨导、输出电阻、极间电容和低频噪声系数等...

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• GTR基极驱动电路的基本构成

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  在变频器中，用于驱动控制电力晶体管 GTR 的基极电路的典型结构如图 1-7 所示。图中的 VT3 即为电力晶体管，其前面的电路即为基极驱动控制电路，由集成电路驱动电路 EXB359 与普通晶...

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• 变频器中的场效应管驱动电路对栅极控制电压的

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  在变频器的场效应管驱动电路中，比较理想的栅极控制电压的波形如图 1-16 所示。从截止至转变为导通时，应适当提高栅极电压 UG1 的上升率，以缩短开通时间；从导通转为截止时，应...

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• 电力晶体管基极驱动电路中GTR的工作特点

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  (1) 截止饱和 为了保证晶体管尽快进入饱和状态，开始导通时的基极电流较大；当晶体管已经进入饱和状态时，为了便于在切换时容易退出饱和状态，故电路采用了适当减小基极电流的...

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• 变频器中的场效应管驱动电路的工作原理

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  图 1-17 所示为变频器中场效应管的典型驱动电路，其基本工作原理简述如下。 (1) 驱动信号 U1 为 + 当驱动信号 U1 为 + 时，晶体管 VT1 导通， VT2 截止，则 VT3 管的 G 、 S 之间加入正向栅压...

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• 变频器中电力晶体管的缓冲电路的基本构成

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  在变频器中，电力晶体管的缓冲电路典型结构如图 1-9 所示。该电路的主要作用是减小电力晶体管 GTR 从饱和转变为截止时，集电极与发射极之间的电压变化率。 图 1-9 电力晶体管 GTR 的...

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• 变频器中绝缘栅双极晶体管结构特点

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  一、绝缘栅双极晶体管结构特点 绝缘栅双极晶体管简称 IGBT ，是由美国 RCA 和 GE 公司于 1982 年发明的新型半导体功率器件，是一种电力电子开关器件，在电力电子产品中应用越来越广泛...

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• 变频器中电力晶体管缓冲电路中GTR的工作原理

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  在变频器中，电力晶体管的缓冲电路典型结构如图 1-9 所示，由 VT1 与 VT2 各组成一路缓冲电路，两组电路的工作原理基本相同。下面以 VT1 组成的这一组电路为例来说明缓冲电路的工作...

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• 变频器中绝缘栅双极晶体管的特点

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  绝缘栅双极晶体管的主要特点表现在以下几个方面。 1 ．输入阻抗高 绝缘栅双极晶体管输入阻抗高，栅极驱动功率极小，驱动电路也很简单。 2 ．电流密度大 绝缘栅双极晶体管芯片面...

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