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PLC/变频器维修中晶体三极管的检测技术

来源:艾特贸易2017-06-04

简介1) 判别三极管的极性 目前,国内外生产的晶体管型号已达上万种,封装型式及引脚排列顺序差异很大。假如晶体管上的标记已模糊不清,无法根据型号查阅手册,识别电极的位置,可借

    1)判别三极管的极性

    目前,国内外生产的晶体管型号已达上万种,封装型式及引脚排列顺序差异很大。假如晶体管上的标记已模糊不清,无法根据型号查阅手册,识别电极的位置,可借助于万用表的R×1k挡识别。

    ①判定基极b。无论PNP管还是NPN管,均可看作由两只半导体二极管反极性串联而成。图1-8(a)(b)分别代表PNP管和NPN管。

 三极管结构图

    1-8  三极管结构图

    如果用第一支表笔碰触某个电极,用另一支表笔依次碰触其他两个电极时,测出的电阻值都很大或者都很小,即可判定第一支表笔接的是基极。若两次测出的电阻值是一大一小,相差很多,证明第一支表笔接的不是基极,应更换其他电极重测。

    ②判定发射极e和集电极c。确定基极之后,再测量ec极间电阻,然后交换表笔重测一次,两次电阻值应不相等,其中电阻较小的一次为正常接法。正常接法时,对于PNP型,黑表笔接的是e极,红表笔接的是c极;对于NPN管,红表笔接的是e极,黑表笔接的是c极。

    2)三极管电极判别常用的三种方法

    第一种方法:对于有测三极管hFE插孔的万用表,先测出b极后,将三极管随意插到插孔中去(当然b极是可以插准确的),测一下hFE值,然后再将管子倒过来再测一遍,测得hFE值比较大的一次,各引脚插入的位置是正确的。

    第二种方法:对无hFE测量插孔的万用表,或管子太大不方便插入插孔的,可以用这种方法:

    NPN管,先测出b极,将万用表置于R×1kΩ挡,将红表笔接假设的e极(注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或引脚),黑表笔接假设的c极,同时用手指捏住表笔尖及这个引脚,将管子拿起来,用舌尖舔一下b极,看万用表指针应有一定的偏转,如果各表笔接得正确,指针偏转会大些,如果接得不对,指针偏转会小些,差别是很明显的。由此就可判定管子的ce极。

    PNP管,要将黑表笔接假设的e极(手不要碰到笔尖或引脚),红表笔接假设的c极,同时用手指捏住表笔尖及这个引脚,然后用舌尖舔一下b极,如果各表笔接得正确,万用表指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次,比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极管,方便实用。根据万用表指针的偏转幅度,还可以估计出管子的放大能力,当然这是凭经验的。

    第三种方法:先判定管子的NPNPNP类型及其b极后,将万用表置于R×10kΩ挡,对NPN管,黑表笔接e极,红表笔接c极时,表针可能会有一定偏转,对PNP管,黑表笔接c极,红表笔接e极时,万用表表针可能会有一定的偏转,反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的ce极。不过对于高耐压的管子,这个方法就不适用。

    3)三极管性能测量

    三极管性能测量通常要用万用表的R×1 kΩ挡,不管是NPN管还是PNP管,不管是小功率、中功率、大功率三极管,测其be结或cb结都应呈现与二极管完全相同的单向导电性,反向电阻无穷大,其正向电阻大约在10kΩ。

    为进一步估测三极管特性的好坏,必要时还应变换万用表的电阻挡位进行多次测量。其方法是:置R×10Ω挡测PN结正向导通电阻都在200Q左右;置R×1Ω挡测PN结正向导通电阻都在30Ω左右(以上为47型表测得数据,其他型号表大概略有不同,可多测试几个好的三极管总结一下,做到有一个参考值)。如果读数偏大太多,则可以断定三极管的特性不好。还可将万用表置于R×10kΩ挡测耐压低的三极管(基本上三极管的耐压都在30V以上),其cb结反向电阻也应在∞,但其be结的反向电阻可能会有些,表针会稍有偏转(一般不会超过满量程的1/3,根据三极管的耐压不同而不同)。同样,在用R×10kΩ挡测ec间(对NPN管)或ce极(对PNP管)的电阻时,表针可能略有偏转,但这不表示三极管是坏的。但在用R×1kΩ以下挡测ceec结电阻时,万用表指针指示应为无穷大,否则三极管就是有问题。应该说明的是,以上测量是针对硅管而言的,对锗管不适用。已知型号和管脚排列的三极管,判断其性能好坏的步骤如下:

    ①测量极间电阻。将万用表置于R×100R×1k挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

    ②三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于三极管的放大倍数卢和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响三极管工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的三极管。通过用万用表电阻直接测量三极管ec极之间的电阻方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下:

    万用表电阻挡量程一般选用R×100R×1k挡,对于PNP管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。ec极间的阻值越大,说明三极管的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般说来,中、小功率硅三极管、锗材料低频三极管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大,三极管的性能不稳定。

    ③测量放大能力(p)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至欧姆挡,量程开关拨到ADJ位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使万用表指针指示为零,然后将量程开关拔到hFE位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

    4)区分硅晶体管与锗晶体管

    将万用表拨至R×1k挡,对于PNP型管,黑表笔接发射极e,红表笔接基极b,给发射极接上正向电压。锗管发射结正向导通电压UBE=0.150. 3V,硅管的UBE=0.60.7V。采用读取电压法可确定UBE的大小,区分硅管与锗管。对于NPN型管只需将表笔位置交换一下即可。

    举例说明:选择MF30型万用表R×1k挡,按照50mA DC刻度读取n'

    例一:事先已判定被测管为NPN管,按如图1-9(b)所示的接法读出n'=21格,该挡K'=0. 03V/格,故

    UBE=K'n'=0.03V/格×21=0. 63V

    被测管显然是硅管(实际型号为3DG6 B)

    例二:已知被测管属于PNP型,参照图1-9(a)的接法读取n'=5格,因此

    UBE =0. 03V/格×5=0. 15V

 区分硅管与锗管连接示意图

    1-9  区分硅管与锗管连接示意图

    可以肯定是锗管(实际型号为3AK20)。

    对于3AX313AX81型锗晶体管.应选择R×100挡。这是因为R×1k挡所提供的电流较小,发射结不能完全导通,测出的UBE值会明显偏低。例如,实测一只3AX31B的管子,在R×1k挡读出n'=3格,UBE =0. 09V;改拨到R×100挡时n'=9格,UBE =0. 27V。显然R×100挡的测量结果更接近于正常值。