变频技术

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• 变频器中功率场效晶体管的主要参数

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  1 ． 漏源击穿电压 U(BR)DS 漏源击穿电压 U(BR)DS 决定了 P - MOSFET 的最高工作电压，使用时注意结温的影响，结温每升高 100 ℃， U(BR)DS 约增加 10% 。 2 ．漏极连续电流 ID 和漏极峰值电流...

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• 变频器中GTO的门极控制

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  GTO 的触发导通过程与普通晶闸管相似，关断则完全不同，门极控制技术的关键在于关断。影响关断的因素有哪些呢？主要有被关断的阳极电流、负载阻抗的性质、工作频率、缓冲电路、...

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• 变频器中P-MOSFET的栅极驱动

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  P- MOSFET 的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。但 P - MOSFET 极间电容不可忽略，器件的功率越大，极间电容越大。在栅极驱动电路控制器件开通...

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• 变频器中GTO的缓冲电路

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  GTO 使用时须接缓冲电路，缓冲电路的作用主要有：在 GTO 关断时，抑制阳极电流下降过程中所产生的尖峰阳极电压 Up ，以降低关断损耗，防止结温升高；抑制阳极电压 UAK 的上升率 du...

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• 变频器中P-MOSFET的工作保护

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  1) 栅源过电压的保护。如果栅源间的阻抗过高，则漏极电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生过高的栅源尖峰电压，此电压将击穿栅源氧化层，造成器件损坏。若耦合到栅极的电...

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• 变频调速的PAM方式

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  脉冲幅值调节方式 (PulseAmplitude Modulation) 简称 PAM 方式，是通过改变直流电压的幅值进行调压的方式。在变频器中，逆变器只负责调节输出频率，而输出电压的调节则由相控整流器（见图...

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• 变频器中GTR的结构

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  图 3-13(a) 所示为 GTR 的结构示意图。作为大功率开关应用最多的是 GTR 模块，图 3-13(b) 所示为 GTR 模块的外形，图 3-13(c) 所示为等效电路。为了便于改善器件的开关过程和并联使用，中间...

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• 变频器中P-MOSFET的静电保护

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  P- MOSFET 的栅极绝缘，但构成绝缘的氧化层很薄，在静电较强的场合，极易引起静电击穿，造成栅源短路；此外，栅极和源极是通过金属化薄膜铝引出，静电击穿电流极易将其熔断，造成...

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• 变频调速的PWM方式

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  脉冲宽度调制方式 (Pulse Width Modulation) 简称 PWM 方式。最常见的主电路如图 2-11 (a) 所示，变频器中的整流电路采用不可控的二极管整流电路，变频器的输出频率和输出电压的调节均由逆...

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• 变频器中GTR的参数

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  1 ． UCEO 即基极开路时 C 、 E 间能承受的电压。 UCEO 选取时，为了防止器件因电压超过极限值而损坏，除适当选用管型外，还需考虑留有安全余量。 GTR 的电压定额应满足 UCEO(2 ～ 3) UT...

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