变频技术

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• 变频器转差频率控制方式

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  如果没有任何附加措施，在 U/f 控制方式下，如果负载变化，转速也会随之变化，转速的变化量与转差率成正比。显然， U/f 控制的静态调速精度较差，为了提高调速精度，采用转差频率...

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• 变频器中功率场效晶体管的结构

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  功率场效晶体管简称 P-MOSFET(Power MOS Field Effect Transistor) ，它是电压控制器件，具有驱动功率小、控制线路简单、工作频率高的特点。 小功率场效晶体管的栅极 G 、源极 S 和漏极 D 位于芯...

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• 三相异步电机基频以上的弱磁变频调速

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  在基频以上调速时，频率可以从 f1N 往上增高，但是电压 U1 却不能增加得比额定电压 U1N 还要大。这是由于受到电源电压的制约，最多只能保持 U1=U1N 不变。这样，必然会使主磁通随着...

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• 变频器GTO的结构与工作原理

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  GTO 的结构虽然也是四层三端器件，但制作工艺与晶闸管不同，图 3-8 所示为 GTO 的结构剖面和图形符号。 GTO 的外形与普通晶闸管一样。 图 3-8 GTO 的结构与符号 (a)GTO 的结构剖面； (b) 图...

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• 变频器中P-MOSFET的工作原理

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  当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅、源极之间电压为零或为负时， P 型区和 N- 型漂移区之间的 PN 结反向，漏、源极之间无电流流过。如果在栅极和源极之间加正向电压 UGS ，由于...

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• 直接变频装置（交-交变频装置）简介

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  直接变频装置的结构如图 2-4 所示，它只用一个变换环节就可以把恒压恒频 (CVCF) 的交流电源变换成 VVVF 电源，因此又称交交变频装置或周波变换器。单相输出的交 - 交变频器如图 2-5 所...

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• 变频器中GTO的开关特性

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  图 3-9 所示为 GTO 在开通和关断过程中门极电流 iG 和阳极电流 iA 的波形。 图 3-9 GTO 在开通和关断过程中门极电流和阳极电流的波形 图中 iG 是门极电流， iA 是阳极电流。其开通过程与普...

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• 变频器中P-MOSFET的特性

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  1 ．转移特性 转移特性是指功率场效晶体管的输入栅源电压 UCs 与输出漏极电流，。之间的关系，如图 3-18 所示。 由图 3-18 可见，当 UGSUT 时， ID 近似为零，当 UGSUT 时，随着 UGS 的增大...

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• 间接变频装置（交-直-交变频装置）简介

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  当前最广泛使用的就是这种交 - 直 - 交变频器（简称变频器），也正是这种变频器发展得最快，技术性能最完善，而且在绝大部分应用领域已实现了通用化。在本书中主要讲述此类变频...

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• 变频器中GTO的主要参数

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  GTO 的多数参数与普通晶闸管相同，下面讨论一些意义不同的参数。 (1) 最大可关断阳极电流 IATO GTO 的最大阳极电流受两个方面的限制：一是额定工作结温的限制；二是门极负电流脉冲可...

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